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STW18NM60N |
TO-247-2 | STMicroelectronics | 1262 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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STW18NM60N参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 包装数量:30 包装形式:管件 PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):600V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):13A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):285 毫欧 @ 6.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 安装类型:通孔 |
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热门型号: 通孔电阻器RNF18FTD21R0 Card EdgeRBM43DCBH-S189 扎带PT-205 同轴,RFFA2-NASJ-C04-6 芯片电阻 - 表面RG1608N-3651-W-T5 圆形DTS20F9-35PC 桥式整流器L413F 铝电容器400TXW100MEFC16X35 圆形 - 外壳DTS20F21-39AC DC DC ConV24B28E200BG3 |